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LOCAL ANODIC OXIDATION ON SILICON (100) SUBSTRATES USING ATOMIC FORCE MICROSCOPY
oleh: ALBA GRACIELA ÁVILA BERNAL, RUY SEBASTIÁN BONILLA
Format: | Article |
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Diterbitkan: | Universidad Nacional de Colombia 2012-01-01 |
Deskripsi
Se reporta la caracterización de la oxidación anódica local utilizando microscopía de barrido de la sonda sobre un substrato (100) de silicio. La formación de patrones varía como una función del voltaje aplicado, la humedad y velocidad de barrido. Se describe una serie de experimentos para analizar el efecto del voltaje y la dependencia de la velocidad de barrido bajo condiciones ambientales estables (50,5% de humedad relativa, 22 °C, y 767mmHg). Un mayor control de las dimensiones de lo patrones de oxido se logra a bajos voltajes y velocidades de barrido. Fracciones discretas de óxido se observan a altos voltajes independientes de la velocidad de barrido. La presencia de estos fragmentos fija un límite superior para la formación de patrones de óxido.