Find in Library

Trong bài báo này, các đặc tính cấu trúc, điện tử và truyền dẫn của đơn lớp hai chiều HfSiSP2 được khảo sát bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ (DFT). Phân tích phổ phonon và mô phỏng động lực phân tử ab-initio cho thấy, đơn lớp HfSiSP2 có cấu trúc bền vững về mặt động học và có độ ổn định nhiệt tốt. Kết quả tính toán chỉ ra đơn lớp HfSiSP2 ở trạng thái cơ bản là một bán dẫn có vùng cấm xiên với độ rộng vùng cấm là 0,63 eV. Bên cạnh đó, ảnh hưởng của biến dạng cơ học và điện trường ngoài đến tính chất điện tử của HfSiSP2 là đáng kể. Biến dạng đã làm thay đổi một cách đáng kể độ rộng vùng cấm của HfSiSP2. Ngoài ra, các đặc trưng truyền dẫn của HfSiSP2 cũng đã được tính toán trong bài báo này. Kết quả cho thấy HfSiSP2 có tiềm năng ứng dụng cho thiết bị linh kiện điện tử.