Результаты поиска - Thomas Ihn

Отмена результатов
  1. 1
    Scanning gate microscopy of localized states in a gate-defined bilayer graphene channel

    Scanning gate microscopy of localized states in a gate-defined bilayer graphene channel по Carolin Gold, Annika Kurzmann, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Klaus Ensslin, Thomas Ihn

    Опубликовано 2020-12-01
    Полный текст
    Статья
    Добавить в Избранное
    Сохранить в:
  2. 2
    Imaging the Conductance of Integer and Fractional Quantum Hall Edge States

    Imaging the Conductance of Integer and Fractional Quantum Hall Edge States по Nikola Pascher, Clemens Rössler, Thomas Ihn, Klaus Ensslin, Christian Reichl, Werner Wegscheider

    Опубликовано 2014-01-01
    Полный текст
    Статья
    Добавить в Избранное
    Сохранить в:
  3. 3
    Evidence of the Coulomb gap in the density of states of MoS_{2}

    Evidence of the Coulomb gap in the density of states of MoS_{2} по Michele Masseroni, Tingyu Qu, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Thomas Ihn, Klaus Ensslin

    Опубликовано 2023-02-01
    Полный текст
    Статья
    Добавить в Избранное
    Сохранить в:
  4. 4
    Electron flow in split-gated bilayer graphene

    Electron flow in split-gated bilayer graphene по Susanne Dröscher, Clément Barraud, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Thomas Ihn, Klaus Ensslin

    Опубликовано 2012-01-01
    Полный текст
    Статья
    Добавить в Избранное
    Сохранить в:
  5. 5
    Fermi edge singularities in transport through lateral GaAs quantum dots

    Fermi edge singularities in transport through lateral GaAs quantum dots по Tobias Krähenmann, Livio Ciorciaro, Christian Reichl, Werner Wegscheider, Leonid Glazman, Thomas Ihn, Klaus Ensslin

    Опубликовано 2017-01-01
    Полный текст
    Статья
    Добавить в Избранное
    Сохранить в:
  6. 6
    Observation of weak localization in dual-gated bilayer MoS_{2}

    Observation of weak localization in dual-gated bilayer MoS_{2} по Tingyu Qu, Michele Masseroni, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Barbaros Özyilmaz, Thomas Ihn, Klaus Ensslin

    Опубликовано 2024-02-01
    Полный текст
    Статья
    Добавить в Избранное
    Сохранить в:
  7. 7
    Pauli blockade catalogue and three- and four-particle Kondo effect in bilayer graphene quantum dots

    Pauli blockade catalogue and three- and four-particle Kondo effect in bilayer graphene quantum dots по Chuyao Tong, Annika Kurzmann, Rebekka Garreis, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Thomas Ihn, Klaus Ensslin

    Опубликовано 2024-01-01
    Полный текст
    Статья
    Добавить в Избранное
    Сохранить в:
  8. 8
    Influence of etching processes on electronic transport in mesoscopic InAs/GaSb quantum well devices

    Influence of etching processes on electronic transport in mesoscopic InAs/GaSb quantum well devices по Atindra Nath Pal, Susanne Müller, Thomas Ihn, Klaus Ensslin, Thomas Tschirky, Christophe Charpentier, Werner Wegscheider

    Опубликовано 2015-07-01
    Полный текст
    Статья
    Добавить в Избранное
    Сохранить в:
  9. 9
    Gate-defined quantum point contact in an InSb two-dimensional electron gas

    Gate-defined quantum point contact in an InSb two-dimensional electron gas по Zijin Lei, Christian A. Lehner, Erik Cheah, Christopher Mittag, Matija Karalic, Werner Wegscheider, Klaus Ensslin, Thomas Ihn

    Опубликовано 2021-04-01
    Полный текст
    Статья
    Добавить в Избранное
    Сохранить в:
  10. 10
    Superballistic electron flow through a point contact in a Ga[Al]As heterostructure

    Superballistic electron flow through a point contact in a Ga[Al]As heterostructure по Lev V. Ginzburg, Carolin Gold, Marc P. Röösli, Christian Reichl, Matthias Berl, Werner Wegscheider, Thomas Ihn, Klaus Ensslin

    Опубликовано 2021-04-01
    Полный текст
    Статья
    Добавить в Избранное
    Сохранить в:
  11. 11
    Edge channel confinement in a bilayer graphene n–p–n quantum dot

    Edge channel confinement in a bilayer graphene n–p–n quantum dot по Hiske Overweg, Peter Rickhaus, Marius Eich, Yongjin Lee, Riccardo Pisoni, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Thomas Ihn, Klaus Ensslin

    Опубликовано 2018-01-01
    Полный текст
    Статья
    Добавить в Избранное
    Сохранить в:
  12. 12
    Electron-Hole Interference in an Inverted-Band Semiconductor Bilayer

    Electron-Hole Interference in an Inverted-Band Semiconductor Bilayer по Matija Karalic, Antonio Štrkalj, Michele Masseroni, Wei Chen, Christopher Mittag, Thomas Tschirky, Werner Wegscheider, Thomas Ihn, Klaus Ensslin, Oded Zilberberg

    Опубликовано 2020-07-01
    Полный текст
    Статья
    Добавить в Избранное
    Сохранить в:
  13. 13
    Coulomb dominated cavities in bilayer graphene

    Coulomb dominated cavities in bilayer graphene по Marius Eich, Riccardo Pisoni, Chuyao Tong, Rebekka Garreis, Peter Rickhaus, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Thomas Ihn, Klaus Ensslin, Annika Kurzmann

    Опубликовано 2020-05-01
    Полный текст
    Статья
    Добавить в Избранное
    Сохранить в:
  14. 14
    Gate-defined two-dimensional hole and electron systems in an undoped InSb quantum well

    Gate-defined two-dimensional hole and electron systems in an undoped InSb quantum well по Zijin Lei, Erik Cheah, Filip Krizek, Rüdiger Schott, Thomas Bähler, Peter Märki, Werner Wegscheider, Mansour Shayegan, Thomas Ihn, Klaus Ensslin

    Опубликовано 2023-02-01
    Полный текст
    Статья
    Добавить в Избранное
    Сохранить в:
  15. 15
    Local signatures of electron-electron scattering in an electronic cavity

    Local signatures of electron-electron scattering in an electronic cavity по Carolin Gold, Beat A. Bräm, Richard Steinacher, Tobias Krähenmann, Andrea Hofmann, Christian Reichl, Werner Wegscheider, Mansour Shayegan, Klaus Ensslin, Thomas Ihn

    Опубликовано 2021-03-01
    Полный текст
    Статья
    Добавить в Избранное
    Сохранить в:
  16. 16
    High-quality two-dimensional electron gas in undoped InSb quantum wells

    High-quality two-dimensional electron gas in undoped InSb quantum wells по Zijin Lei, Erik Cheah, Km Rubi, Maurice E. Bal, Christoph Adam, Rüdiger Schott, Uli Zeitler, Werner Wegscheider, Thomas Ihn, Klaus Ensslin

    Опубликовано 2022-01-01
    Полный текст
    Статья
    Добавить в Избранное
    Сохранить в:
  17. 17
    Nonlinear response of a two-dimensional electron gas in the quantum Hall regime

    Nonlinear response of a two-dimensional electron gas in the quantum Hall regime по Shuichi Iwakiri, Lev V. Ginzburg, Marc P. Röösli, Yigal Meir, Ady Stern, Christian Reichl, Matthias Berl, Werner Wegscheider, Thomas Ihn, Klaus Ensslin

    Опубликовано 2023-09-01
    Полный текст
    Статья
    Добавить в Избранное
    Сохранить в:
  18. 18
    Tunable quantum interferometer for correlated moiré electrons

    Tunable quantum interferometer for correlated moiré electrons по Shuichi Iwakiri, Alexandra Mestre-Torà, Elías Portolés, Marieke Visscher, Marta Perego, Giulia Zheng, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Manfred Sigrist, Thomas Ihn, Klaus Ensslin

    Опубликовано 2024-01-01
    Полный текст
    Статья
    Добавить в Избранное
    Сохранить в:
  19. 19
    High-mobility transport in isotopically enriched ^{12}C and ^{13}C exfoliated graphene

    High-mobility transport in isotopically enriched ^{12}C and ^{13}C exfoliated graphene по Shuichi Iwakiri, Jakob Miller, Florian Lang, Jakob Prettenthaler, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Sung Sik Lee, Pascal Becker, Detlef Günther, Thomas Ihn, Klaus Ensslin

    Опубликовано 2023-12-01
    Полный текст
    Статья
    Добавить в Избранное
    Сохранить в:
  20. 20
    Counting statistics of single electron transport in bilayer graphene quantum dots

    Counting statistics of single electron transport in bilayer graphene quantum dots по Rebekka Garreis, Jonas Daniel Gerber, Veronika Stará, Chuyao Tong, Carolin Gold, Marc Röösli, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Klaus Ensslin, Thomas Ihn, Annika Kurzmann

    Опубликовано 2023-01-01
    Полный текст
    Статья
    Добавить в Избранное
    Сохранить в:

Инструменты поиска: