Hasil Pencarian - Norikazu Nakamura

  • Menampilkan 1 - 2 hasil dari 2
Perbaiki Hasil
  1. 1
    24.4 W/mm X-Band GaN HEMTs on AlN Substrates With the LPCVD-Grown High-Breakdown-Field SiN<sub><italic>x</italic></sub> Layer

    24.4 W/mm X-Band GaN HEMTs on AlN Substrates With the LPCVD-Grown High-Breakdown-Field SiN<sub><italic>x</italic></sub> Layer oleh Junji Kotani, Junya Yaita, Kenji Homma, Shirou Ozaki, Atsushi Yamada, Masaru Sato, Toshihiro Ohki, Norikazu Nakamura

    Diterbitkan 2023-01-01
    Dapatkan teks lengkap
    Artikel
    Simpan ke Daftar
    Disimpan di:
  2. 2
    High‐power‐density InAlGaN/GaN HEMT using InGaN back barrier for W‐band amplifiers

    High‐power‐density InAlGaN/GaN HEMT using InGaN back barrier for W‐band amplifiers oleh Junji Kotani, Kozo Makiyama, Toshihiro Ohki, Shiro Ozaki, Naoya Okamoto, Yuichi Minoura, Masaru Sato, Norikazu Nakamura, Yasuyuki Miyamoto

    Diterbitkan 2023-02-01
    Dapatkan teks lengkap
    Artikel
    Simpan ke Daftar
    Disimpan di:

Alat Pencarian: