Hasil Pencarian - D.G. Zhao

  • Menampilkan 1 - 7 hasil dari 7
Perbaiki Hasil
  1. 1
    UNCERTAINTY ANALYSIS OF SHIP MODEL RESISTANCE TEST IN ACTUAL SEAS

    UNCERTAINTY ANALYSIS OF SHIP MODEL RESISTANCE TEST IN ACTUAL SEAS oleh D.G. Zhao, Y.W. Wang, G.L. Zhou

    Diterbitkan 2020-01-01
    Dapatkan teks lengkap
    Artikel
    Simpan ke Daftar
    Disimpan di:
  2. 2
    Investigation on the leakage current characteristics of large size GaN diodes

    Investigation on the leakage current characteristics of large size GaN diodes oleh J. Yang, D. G. Zhao, Z. S. Liu, P. Chen, F. Liang

    Diterbitkan 2021-07-01
    Dapatkan teks lengkap
    Artikel
    Simpan ke Daftar
    Disimpan di:
  3. 3
    The thermal decomposition mechanism of small particle limestone under high CO<sub>2</sub> partial pressure

    The thermal decomposition mechanism of small particle limestone under high CO<sub>2</sub> partial pressure oleh C. X. Li, Y. Zhang, Y. K. Xue, D. G. Zhao, S. H. Wang, K. X. Zhang, X. Meng, H. J. Shen

    Diterbitkan 2024-01-01
    Dapatkan teks lengkap
    Artikel
    Simpan ke Daftar
    Disimpan di:
  4. 4
    Deep levels induced optical memory effect in thin InGaN film

    Deep levels induced optical memory effect in thin InGaN film oleh B. B. Wang, J. J. Zhu, D. G. Zhao, D. S. Jiang, P. Chen, Z. S. Liu, J. Yang, W. Liu, F. Liang, S. T. Liu, Y. Xing, L. Q. Zhang, M. Li

    Diterbitkan 2018-08-01
    Dapatkan teks lengkap
    Artikel
    Simpan ke Daftar
    Disimpan di:
  5. 5
    Resistivity reduction of low temperature grown p-Al0.09Ga0.91N by suppressing the incorporation of carbon impurity

    Resistivity reduction of low temperature grown p-Al0.09Ga0.91N by suppressing the incorporation of carbon impurity oleh F. Liang, Jing Yang, D. G. Zhao, D. S. Jiang, Z. S. Liu, J. J. Zhu, P. Chen, S. T. Liu, Y. Xing, L. Q. Zhang, W. J. Wang, Mo Li, Y. T. Zhang, G. T. Du

    Diterbitkan 2018-08-01
    Dapatkan teks lengkap
    Artikel
    Simpan ke Daftar
    Disimpan di:
  6. 6
    Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes

    Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes oleh P. Chen, D. G. Zhao, D. S. Jiang, H. Long, M. Li, J. Yang, J. J. Zhu, Z. S. Liu, X. J. Li, W. Liu, X. Li, F. Liang, J. P. Liu, B. S. Zhang, H. Yang

    Diterbitkan 2017-03-01
    Dapatkan teks lengkap
    Artikel
    Simpan ke Daftar
    Disimpan di:
  7. 7
    The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes

    The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes oleh P. Chen, D. G. Zhao, D. S. Jiang, J. J. Zhu, Z. S. Liu, J. Yang, X. Li, L. C. Le, X. G. He, W. Liu, X. J. Li, F. Liang, B. S. Zhang, H. Yang, Y. T. Zhang, G. T. Du

    Diterbitkan 2016-03-01
    Dapatkan teks lengkap
    Artikel
    Simpan ke Daftar
    Disimpan di:

Alat Pencarian: